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Beschreibung: Diode GEN PURP REV 1,2 KV 6A DO4

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 100 V
Art der Montage:
Fahrwerk, Stützmontage
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 6 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-4
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Standard, umgekehrte Polarität
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S6Q
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 100 V
Art der Montage:
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Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 6 A
Paket:
BULK
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
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Mfr:
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Technologie:
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Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
6A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S6Q
S6QR
Diode 1200 V 6A-Fahrwerk, Stangmontage DO-4

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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