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GC08MPS12-252
GC08MPS12-252

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Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2 KV 40A TO252-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
7 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
545pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
40A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GC08MPS12
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
7 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
545pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
40A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GC08MPS12
GC08MPS12-252
Diode 1200 V 40A Oberflächenhalter TO-252-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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