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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SICRD10650CT

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SILIZIUM CARBID 650V 5A DPAK

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 5 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
5A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SICRD10650
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 5 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
5A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SICRD10650
SICRD10650CT
Diode 650 V 5A Oberflächenhalter DPAK