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Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 30A bis 247

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.55 V @ 30 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
RFN30
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Nicht für neue Designs
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.55 V @ 30 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-247-3
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
RFN30
Die Angabe des Zustands des Zustands der Zellstoffverbindung ist nicht erforderlich.
Diode 600 V 30A durch Loch TO-247