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1N4154-1E3/TR
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1N4154-1E3/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 35V 200MA DO35

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 25 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 30 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 ns
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Technologie:
Standard
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-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
35 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
1N4154-1E3/TR
Diode 35 V 200 mA durch Loch DO-35 (DO-204AH)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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