logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
produits
produits

DSEI12-12AZ-TRL

Produktdetails

Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2KV 11A bis 263HV

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.6 V @ 12 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
6pF @ 600V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263HV
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSEI12
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.6 V @ 12 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
6pF @ 600V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263HV
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
50 ns
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSEI12
DSEI12-12AZ-TRL
Diode 1200 V 11A Oberflächenbefestigung TO-263HV