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JAN1N3595-1/TR
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 125V 150MA DO35

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 nA @ 125 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/241
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3 μs
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
125 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 nA @ 125 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/241
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
3 μs
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
125 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N3595-1/TR
Diode 125 V 150 mA durch Loch DO-35

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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