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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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WNSC10650T6J

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Beschreibung: Dioden-Silkarbid 650V 10A 5DFN

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
328pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC1
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
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Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
328pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC1
WNSC10650T6J
Diode 650 V 10A Oberflächenbefestigung 5-DFN (8x8)