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Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
267pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC0
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
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Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 8 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
267pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
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Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
WNSC0
WNSC08650T6J
Diode 650 V 8A Oberflächenhalter 5-DFN (8x8)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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