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Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARBIDE 650V 4A bis 252

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
170 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 4 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
159pF @ 100mV, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252 (Typ WX)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
4a
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSC040
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
170 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.7 V @ 4 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Reihe:
- -
Kapazität @ Vr, F:
159pF @ 100mV, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252 (Typ WX)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
4a
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSC040
Die in Absatz 1 genannte Angabe ist nicht anwendbar.
Diode 650 V 4A Oberflächenhalter TO-252 (Typ WX)