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Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2KV 20A bis 263AB

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	100 μA @ 1200 V	Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.1 V @ 20 A	Paket:	Band und Rolle (TR)
Serie:	- -	Kapazität @ Vr, F:	- -
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.	Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:	Standards	Betriebstemperatur - Kreuzung:	-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.	Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	20A	Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:	20ETS12

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	100 μA @ 1200 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.1 V @ 20 A
Paket:	Band und Rolle (TR)
Serie:	- -
Kapazität @ Vr, F:	- -
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:	Standards
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	20A
Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:	20ETS12