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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 396/2005 aufgeführt.

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 16A TO263AB

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Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	10 μA @ 300 V	Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.3 V @ 16 A	Paket:	Schlauch
Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q101	Kapazität @ Vr, F:	175pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	50 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung	Technologie:	Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-65 °C bis 150 °C	Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	300 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	16A
Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)	Basisproduktnummer:	FESB16

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	10 μA @ 300 V
Art der Montage:	Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.3 V @ 16 A
Paket:	Schlauch
Reihe:	Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:	175pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	Die Kommission wird die Kommission auffordern, die erforderlichen Maßnahmen zu treffen.
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	50 ns
Mfr:	Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:	Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:	Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	16A
Geschwindigkeit:	Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:	FESB16