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VS-E5TH0812THN3
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2KV 8A bis 220AC

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.5 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.5 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Reihe:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
60 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
VS-E5TH0812THN3
Diode 1200 V 8A durch das Loch TO-220AC

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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