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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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SFF2008G

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 600V 20A ITO220AB

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
90pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
ITO-220AB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-3 voller Satz, lokalisierter Vorsprung
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SFF2008
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 10 @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
90pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
ITO-220AB
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
35 ns
Mfr:
Taiwan Semiconductor Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-3 voller Satz, lokalisierter Vorsprung
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
SFF2008
SFF2008G
Diode 600 V 20A durch das Loch ITO-220AB