Produktdetails
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Beschreibung: Diode GEN PURP 200V 20A ITO220AB
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
975 mV @ 10 A |
Paket: |
Schlauch |
Reihe: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
90pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
ITO-220AB |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
35 ns |
Mfr: |
Taiwan Semiconductor Corporation |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-3 voller Satz, lokalisierter Vorsprung |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
20A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
SFF2004 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
10 μA @ 200 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
975 mV @ 10 A |
Paket: |
Schlauch |
Reihe: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
90pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
ITO-220AB |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
35 ns |
Mfr: |
Taiwan Semiconductor Corporation |
Technologie: |
Standard |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 150 °C |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-3 voller Satz, lokalisierter Vorsprung |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
20A |
Geschwindigkeit: |
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
SFF2004 |