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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VI20120SG-M3/4W

Produktdetails

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Beschreibung: Die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Daten werden in Anhang I der Verordnung (EG) Nr. 45/2001 erfas

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 120 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.33 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-262AA
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
VI20120
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 120 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.33 V @ 20 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-262AA
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Lange Leinen TO-262-3, ich ² PAK, TO-262AA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
120 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
VI20120
VI20120SG-M3/4W
Diode 120 V 20A durch das Loch TO-262AA