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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAS116E6433

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 80V 250MA SOT23-3

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
1,5 µs
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
80 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
250 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
Na 5 @ 75 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,25 V bei 150 mA
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
2pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
SOT-23-3
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
1,5 µs
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
150°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
Die Kommission hat die Kommission aufgefordert, die folgenden Maßnahmen zu treffen:
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
80 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
250 mA
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
BAS116E6433
Diode 80 V 250 mA Oberflächenbefestigung SOT-23-3