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Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 11A TO252-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.35 V @ 4 A
Paket:
Schneiden Sie Band (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.35 V @ 4 A
Paket:
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Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
186pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
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Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
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Technologie:
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Betriebstemperatur - Kreuzung:
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Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
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Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Gefahr für die Gesundheit
Diode 650 V 11A Oberflächenbefestigung TO-252-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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