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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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GC50MPS33H

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Beschreibung: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
50A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
50A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
GC50MPS33H
Diode 3300 V 50A Durchgangsloch TO-247-2