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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SIC 3,3KV 300MA DO214AA

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 µA @ 3300 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.2 V @ 300 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AA
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
300 mA
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GAP3SLT33
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 µA @ 3300 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
2.2 V @ 300 mA
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
42pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-214AA
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
DO-214AA, SMB
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
300 mA
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GAP3SLT33
GAP3SLT33-214
Diode 3300 V 300mA Oberflächenhalter DO-214AA

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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