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Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 20A bis 220-2L

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
15 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.55 V @ 6 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
229pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2L
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D006
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
15 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.55 V @ 6 A
Paket:
Schlauch
Serie:
Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:
229pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2L
Mfr:
SemiQ
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
20A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GP3D006
Einheit für die Bereitstellung der erforderlichen Daten
Diode 650 V 20A durch das Loch TO-220-2L