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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SIL CARB 3.3KV 14A TO263-7

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 µA bei 3000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
3 V @ 5 A
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
288pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263-7
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
14A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 µA bei 3000 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
3 V @ 5 A
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
288pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263-7
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
3300 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
14A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Die in Absatz 1 genannten Angaben sind zu beachten.
Diode 3300 V 14A Oberflächenmontage TO-263-7

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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