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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 51A TO263-7

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263-7
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
51A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GD30MPS06
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
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Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
735pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
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TO-263-8, d-² PAK (7 Führungen + Vorsprung), TO-263CA
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
51A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GD30MPS06
GD30MPS06J
Diode 650 V 51A Oberflächenbefestigung TO-263-7

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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