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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,7 KV 122A bis 247

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 60 A
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einem Strompegel von
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
122a
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GD60
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 1700 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 60 A
Paket:
Schlauch
Serie:
SiC Schottky MPSTM
Kapazität @ Vr, F:
4577pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Mfr:
GeneSiC-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
mit einem Strompegel von
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
122a
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
GD60
GD60MPS17H
Diode 1700 V 122A durch Loch TO-247-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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