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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
EIC SEMICONDUCTOR INC.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
10 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
EIC SEMICONDUCTOR INC.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
FR306T/r
Diode 800 V 3A durch das Loch DO-201AD

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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