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Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 Buchstabe b genannten Fahrzeuge.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 30A bis 247-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung

Hervorheben:

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden	Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	75 µA @ 650 V	Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.65 V @ 30 A	Paket:	Schlauch
Serie:	Amp+TM	Kapazität @ Vr, F:	1247pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-247-2	Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	SemiQ	Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C	Packung / Gehäuse:	TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V	Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	30A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)	Basisproduktnummer:	GP3D030

Kategorie:	Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:	Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:	75 µA @ 650 V
Art der Montage:	Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:	1.65 V @ 30 A
Paket:	Schlauch
Serie:	Amp+TM
Kapazität @ Vr, F:	1247pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:	TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):	0 n
Mfr:	SemiQ
Technologie:	Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:	-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:	TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):	650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):	30A
Geschwindigkeit:	Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:	GP3D030