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Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220-2

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
50 µA @ 650 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 8 A
Package:
Tube
Series:
Gen-III
Capacitance @ Vr, F:
250pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
8A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
UJ3D06508
Category:
Discrete Semiconductor Products Diodes Rectifiers Single Diodes
Product Status:
Active
Current - Reverse Leakage @ Vr:
50 µA @ 650 V
Mounting Type:
Through Hole
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If:
1.7 V @ 8 A
Package:
Tube
Series:
Gen-III
Capacitance @ Vr, F:
250pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package:
TO-220-2
Reverse Recovery Time (trr):
0 ns
Mfr:
Qorvo
Technology:
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Operating Temperature - Junction:
-55°C ~ 175°C
Package / Case:
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max):
650 V
Current - Average Rectified (Io):
8A
Speed:
No Recovery Time > 500mA (Io)
Base Product Number:
UJ3D06508
Einheit für die Erfassung von Daten
Diode 650 V 8A durch Loch TO-220-2

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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