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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > 1n5407-g
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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 800V 3A DO27

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 3 A
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
Mfr:
Comchip-Technologie
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C bis 125°C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5407
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 800 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 3 A
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Die in Absatz 1 Buchstabe a genannten Angaben sind zu beachten.
Mfr:
Comchip-Technologie
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C bis 125°C
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5407
1n5407-g
Diode 800 V 3A durch das Loch DO-27 (DO-201AD)

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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