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Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
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Produktdetails

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Beschreibung: DPAK-Diodensilkarbid 650V 10A

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
690pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Comchip-Technologie
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
CDBDSC10650
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 100 @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
690pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DPAK
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
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Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
CDBDSC10650
Die in Absatz 1 genannten Angaben werden in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 182/2011 geändert.
Diode 650 V 10A Oberflächenbefestigung DPAK

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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