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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > MEO550-02DA
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 mA @ 200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.25 V @ 520 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Y4-M6
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
200 ns
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Y4-M6
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
582A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MEO550
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 mA @ 200 V
Art der Montage:
Aufbau des Fahrgestells
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.25 V @ 520 A
Paket:
BULK
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
Y4-M6
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
200 ns
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
Y4-M6
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
582A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
MEO550
MEO550-02DA
Diode 200 V 582A Fahrgestell Y4-M6

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

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