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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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DSI30-12AS-TRL

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,2 KV 30A bis 263AA

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 40 @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,29 V bei 30 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
10 pF @ 400 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSI30
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
µA 40 @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,29 V bei 30 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
10 pF @ 400 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
DSI30
DSI30-12AS-TRL
Diode 1200 V 30A Oberflächenbefestigung TO-263AA