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Beschreibung: Diode GEN PURP 1KV 1A T-1

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
T-1
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
T1, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
D7g
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
8pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
T-1
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
2 μs
Mfr:
Dioden eingebunden
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
T1, Achs
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
D7g
D7G-T
Diode 1000 V 1A durch Loch T-1

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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