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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1KV 3A axiale

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 3 A
Paket:
Schachtel
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
85pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Akziale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 µs
Mfr:
Solid State Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.1 V @ 3 A
Paket:
Schachtel
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
85pF @ 12V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
Akziale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 µs
Mfr:
Solid State Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Packung / Gehäuse:
Akziale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N5554
Diode 1000 V 3A durch die Loch-Achse

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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