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Beschreibung: Diode GEN PURP 1KV 1A DO41

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 1 A
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-41
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
70 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AL, DO-41, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.5 V @ 1 A
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
15pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-41
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
70 ns
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AL, DO-41, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
NTE575
Diode 1000 V 1A durch Loch DO-41

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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