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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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BAT82S-TAP

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Beschreibung: Diode Schottky 50V 30MA DO35

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
200 nA @ 50 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 15 mA
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
1.6pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
125°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAT82
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
200 nA @ 50 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 15 mA
Paket:
Band und Box (TB)
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
1.6pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
mit einer Breite von mehr als 20 mm,
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
125°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
30 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Basisproduktnummer:
BAT82
BAT82S-TAP
Diode 50 V 30mA durch Loch DO-35 (DO-204AH)