Produktdetails
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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2 KV 49A D3PAK
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.8 V @ 20 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
1130pF @ 1V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
D3PAK |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
1200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
49A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
µA 200 @ 1200 V |
Art der Montage: |
Oberflächenbefestigung |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1.8 V @ 20 A |
Paket: |
BULK |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
1130pF @ 1V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
D3PAK |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Mikrochiptechnik |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Packung / Gehäuse: |
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
1200 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
49A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht. |