Produktdetails
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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 11,5A bis 247
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
40 μA @ 650 V |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Kapazität @ Vr, F: |
421pF @ 1V, 100 kHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-247-2 |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
TO-247-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
11.5A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
FFSH1065 |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Aktiv |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
40 μA @ 650 V |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
-55 °C ~ 175 °C |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
Automobilindustrie, AEC-Q101 |
Kapazität @ Vr, F: |
421pF @ 1V, 100 kHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-247-2 |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
Einheitlich |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Packung / Gehäuse: |
TO-247-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
11.5A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
FFSH1065 |