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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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FFSH1065B-F085

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 11,5A bis 247

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 650 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
421pF @ 1V, 100 kHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11.5A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
FFSH1065
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 650 V
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Art der Montage:
Durchs Loch
Paket:
Schlauch
Serie:
Automobilindustrie, AEC-Q101
Kapazität @ Vr, F:
421pF @ 1V, 100 kHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-247-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Einheitlich
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Packung / Gehäuse:
TO-247-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
11.5A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
FFSH1065
FFSH1065B-F085
Diode 650 V 11.5A durch das Loch TO-247-2