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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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VS-8EWS16S-M3

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,6 KV 8A TO252

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,1 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252, (D-PAK)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
8EWS16
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
50 μA @ 1600 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,1 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-252, (D-PAK)
Mfr:
Vishay General Semiconductor - Dioden-Abteilung
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 150 °C
Packung / Gehäuse:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1600 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
8EWS16
VS-8EWS16S-M3
Diode 1600 V 8A Oberflächenhalter TO-252, (D-Pak)