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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Tasche
Serie:
RGP30
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
- -
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
5 μA @ 1000 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.3 V @ 3 A
Paket:
Tasche
Serie:
RGP30
Kapazität @ Vr, F:
60pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-201AD
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
500 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
- -
Packung / Gehäuse:
DO-201AD, axial
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1000 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
3A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
RGP30M
Diode 1000 V 3A durch das Loch DO-201AD

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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