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Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 50V 200MA DO35

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 50 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 nA @ 50 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 200 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-35
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
4 ns
Mfr:
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Technologie:
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Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
DO-204AH, DO-35, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
50 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
200 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
1N3600
Diode 50 V 200 mA durch Loch DO-35

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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