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Beschreibung: Diode GEN PURP 1,8 KV 1050A

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Letztes Mal kaufen
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
60 mA @ 1800 V
Art der Montage:
Klemmen Sie an fest
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 1000 A
Paket:
Tray
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
- -
Mfr:
Infineon Technologies
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 180 °C
Packung / Gehäuse:
DO-200AB, B-PUK
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1050A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
D1050N
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
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60 mA @ 1800 V
Art der Montage:
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1 V @ 1000 A
Paket:
Tray
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
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Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-40 °C ~ 180 °C
Packung / Gehäuse:
DO-200AB, B-PUK
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1800 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
1050A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
D1050N
D1050N18TXPSA1
Diode 1800 V 1050A Klammer eingeschaltet

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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