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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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JAN1N6622/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Die in Absatz 1 genannten Vorschriften gelten für die Verwendung von Dioden.

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 660 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/585
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
500 nA @ 660 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.6 V @ 2 A
Paket:
Band und Rolle (TR)
Serie:
Militärische, MIL-PRF-19500/585
Kapazität @ Vr, F:
10pF @ 10V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
30 ns
Mfr:
Mikrochiptechnik
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C bis 150 °C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
660 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
JAN1N6622/TR
Diode 660 V 2A durch Loch A, axiale