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Beschreibung: Diode GEN PURP 12A DO4

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Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 30 A
Paket:
Schachtel
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-4
Mfr:
Solid State Inc.
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 200 °C
Art der Montage:
Stäubchen
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.2 V @ 30 A
Paket:
Schachtel
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-4
Mfr:
Solid State Inc.
Technologie:
Standard
Packung / Gehäuse:
DO-203AA, DO-4, Stud
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
12A
Geschwindigkeit:
Standardrückgewinnung > 500 ns, > 200 mA (Io)
1N1183
Diode 12A-Stiftverbindung DO-4

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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