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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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1N5806/TR

Produktdetails

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Beschreibung: Diode GEN PURP 150V 2,5A APAK

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 150 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
25 ns
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2.5A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5806
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
1 μA @ 150 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
875 mV @ 1 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT)
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
A, axiale
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
25 ns
Mfr:
Die Mikrosemi Corporation
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65°C ~ 175°C
Packung / Gehäuse:
A, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
150 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
2.5A
Geschwindigkeit:
Schnelle Wiederherstellung = < 500 ns, > 200 mA (Io)
Basisproduktnummer:
1N5806
1N5806/TR
Diode 150 V 2,5 A durch Loch A, axiale