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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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NXPSC10650Q

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
300 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
NXPSC
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Ausgeschaltet bei Digi-Key
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
250 μA @ 650 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
300 pF bei 1 V, 1 MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220AC
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
WeEn-Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C (maximal)
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
NXPSC
NXPSC10650Q
Diode 650 V 10A durch das Loch TO-220AC