Produktdetails
Zahlungs-u. Verschiffen-Ausdrücke
Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 10A bis 220AC
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Ausgeschaltet bei Digi-Key |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
250 μA @ 650 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,7 V @ 10 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
300 pF bei 1 V, 1 MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-220AC |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
WeEn-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
175°C (maximal) |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
10A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
NXPSC |
Kategorie: |
Diskrete Halbleiterprodukte
Dioden
Rectifikatoren
Einzeldioden |
Produktstatus: |
Ausgeschaltet bei Digi-Key |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: |
250 μA @ 650 V |
Art der Montage: |
Durchs Loch |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn: |
1,7 V @ 10 A |
Paket: |
Schlauch |
Serie: |
- - |
Kapazität @ Vr, F: |
300 pF bei 1 V, 1 MHz |
Lieferanten-Gerätepaket: |
TO-220AC |
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr): |
0 n |
Mfr: |
WeEn-Halbleiter |
Technologie: |
Sic (Silikon-Karbid) Schottky |
Betriebstemperatur - Kreuzung: |
175°C (maximal) |
Packung / Gehäuse: |
TO-220-2 |
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal): |
650 V |
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io): |
10A |
Geschwindigkeit: |
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io) |
Basisproduktnummer: |
NXPSC |