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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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CSIC10-1200 SL

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SIL CARB 1,2KV 10A TO220-2

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
400 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
41pF @ 600V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
400 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 10 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
41pF @ 600V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220-2
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Zentral Semiconductor Corp.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
10A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
CSIC10-1200 SL
Diode 1200 V 10A durch Loch TO-220-2