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Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.

Produktdetails

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Beschreibung: Diode SIL CARB 1,2 KV 44A bis 263L

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Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 15 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
Gen2
Kapazität @ Vr, F:
920pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
44A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Veraltet
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
100 μA @ 1200 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1.8 V @ 15 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
Gen2
Kapazität @ Vr, F:
920pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-263-2L
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Ich bin nicht derjenige, der das sagt.
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
Die Daten werden in der Tabelle 2 angegeben, und die Daten werden in der Tabelle 3 angegeben.
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
1200 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
44A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Diode 1200 V 44A Oberflächenbefestigung TO-263-2L