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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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S3D10065L

Produktdetails

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Beschreibung: DIODE SILIZIUM CARBID 650V 31A 5DFN

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
787pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
31A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S3D10065
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
40 μA @ 650 V
Art der Montage:
Oberflächenbefestigung
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,7 V @ 10 A
Paket:
Band und Rolle (TR) Schnittband (CT) Digi-Reel®
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
787pF @ 0V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
5-DFN (8x8)
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
SMC-Diodenlösungen
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-55 °C ~ 175 °C
Packung / Gehäuse:
4-VSFN freiliegendes Pad
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
31A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Basisproduktnummer:
S3D10065
S3D10065L
Diode 650 V 31A Oberflächenbefestigung 5-DFN (8x8)