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Haus > produits > Elektronische Bauelemente IC > NTE110A
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Produktdetails

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 30V 150MA DO7

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
65 µA @ 10 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 5 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-7
Mfr:
NTE Electronics, Inc.
Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 85 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AA, DO-7, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
30 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
65 µA @ 10 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1 V @ 5 mA
Paket:
Tasche
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
- -
Lieferanten-Gerätepaket:
DO-7
Mfr:
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Technologie:
Standard
Betriebstemperatur - Kreuzung:
-65 °C ~ 85 °C
Packung / Gehäuse:
DO-204AA, DO-7, axiale
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
30 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
150 mA
Geschwindigkeit:
Kleines Signal = < 200 mA (Io), jede Geschwindigkeit
NTE110A
Diode 30 V 150mA Durchgangsloch DO-7

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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