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Beschreibung: Diode SIL CARB 650V 8A bis 220ACFP

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Produktdetails

Produkt-Beschreibung
Hervorheben:
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
160 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,55 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
291pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220ACFP
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
Rohm Halbleiter
Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
Kategorie:
Diskrete Halbleiterprodukte Dioden Rectifikatoren Einzeldioden
Produktstatus:
Aktiv
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr:
160 μA @ 600 V
Art der Montage:
Durchs Loch
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ Wenn:
1,55 V @ 8 A
Paket:
Schlauch
Serie:
- -
Kapazität @ Vr, F:
291pF @ 1V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket:
TO-220ACFP
Umgekehrte Wiederherstellungszeit (trr):
0 n
Mfr:
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Technologie:
Sic (Silikon-Karbid) Schottky
Betriebstemperatur - Kreuzung:
175°C
Packung / Gehäuse:
TO-220-2
Spannung - Gleichstromumkehrung (Vr) (maximal):
650 V
Strom - Durchschnitt korrigiert (Io):
8A
Geschwindigkeit:
Keine Wiederherstellungszeit > 500 mA (Io)
SCS208AGC17
Diode 650 V 8A durch das Loch TO-220ACFP

Tags:

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6,

32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems,

32 gebissenes Mikroregler St. ICS

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